本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种光刻版，还涉及一种套刻对准方法。
背景技术：
1、在mems(micro-electro-mechanical system，微机电系统)晶圆产品生产中，由于工艺特殊性，通常使用suss(即suss microtec公司的机台)的接近式曝光机台代替原有的stepper(步进)或scanner(扫描)机台进行光刻的曝光工作。在使用标准的suss对位标记进行曝光时，偶发性的会出现光刻图形严重偏移(光刻对偏)的问题。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种能够提高套刻对准的成功率的光刻版。
2、一种光刻版，包括对位标记，所述对位标记包括：主对位图形；至少两个旋转判别图形，每个旋转判别图形均靠近所述主对位图形设置且位于第一区域，所述至少两个旋转判别图形包括偏转角的绝对值相同、方向相反的两个旋转判别图形；所述偏转角为每个旋转判别图形的中心与主对位图形的中心的连线与所述主对位图形形成的夹角，所述方向相反指两个偏转角的其中一个位于主对位图形的顺时针旋转方向、另一个位于主对位图形的逆时针旋转方向；其中，所述第一区域为所述主对位图形绕主对位图形的中心旋转360度获得的区域中除所述主对位图形之外的区域。
3、上述光刻版，在套刻对准时如果晶圆发生偏转，导致光刻版的对位标记移至了晶圆上相邻的shot(曝光区域)的对位标记上方，则由于相邻的shot的对位标记相对于目标shot的对位标记会产生偏转，因此可以根据是否有晶圆上的旋转判别图形被光刻版的主对位图形遮挡，来判断光刻版与晶圆的对位是否发生了旋转偏移，从而避免套刻对准时对位到相邻的shot上，可以提高套刻对准的成功率。
4、在其中一个实施例中，所述主对位图形为十字形，所述主对位图形包括两个相互垂直的条形，所述偏转角为旋转判别图形的中心与主对位图形的中心的连线与最近的所述条形形成的夹角。
5、在其中一个实施例中，所述对位标记的旋转判别图形的数量为两个，其中一个靠近一所述条形的一端设置、另一个靠近另一端设置。
6、在其中一个实施例中，各旋转判别图形为正方形。
7、在其中一个实施例中，两个所述条形的长度为72微米，宽度为8微米，两个所述旋转判别图形的边长为4微米。
8、在其中一个实施例中，各所述旋转判别图形的偏转角的绝对值为arctan(x/d1)，其中d1为所述对位标记形成于晶圆上时与晶圆中心的距离，x为所述光刻版在曝光时单个曝光区域的x方向尺寸，所述x方向在晶圆平面上垂直于晶圆直径方向。
9、在其中一个实施例中，各所述旋转判别图形的偏转角的绝对值为arctan(x/4y)，其中x为所述光刻版在曝光时单个曝光区域的x方向尺寸，y为所述光刻版在曝光时单个曝光区域的y方向尺寸，所述对位标记形成于晶圆上时位于距晶圆中心第四个曝光区域的位置。
10、在其中一个实施例中，所述主对位图形为十字形，包括两个相互垂直的条形，所述对位标记形成于晶圆上时，晶圆上的不同对位标记的条形相互平行。
11、在其中一个实施例中，主对位图形的条形的宽度大于各旋转判别图形的宽度。
12、在其中一个实施例中，所述对位标记形成于晶圆上时位于划片道中。
13、还有必要提供一种套刻对准方法。
14、一种套刻对准方法，包括：在晶圆上形成对位标记；将包括对位标记的光刻版置于所述晶圆上方，并通过使所述光刻版的对位标记和晶圆的对位标记在竖直方向上重合，使所述光刻版和晶圆套刻对准；所述光刻版为权利要求1-7中任一项所述的光刻版，所述晶圆的对位标记与所述光刻版的对位标记的图形相同；其中，所述通过使所述光刻版的对位标记和晶圆的对位标记在竖直方向上重合的步骤中，若所述光刻版的主对位图形将所述晶圆的任一旋转判别图形遮挡，则判定所述光刻版与晶圆的对位发生了旋转偏移。
15、在其中一个实施例中，所述使所述光刻版和晶圆套刻对准的步骤之后，还包括通过所述光刻版对所述晶圆上的光刻胶进行曝光的步骤，且曝光采用的机台为suss机台。
16、在其中一个实施例中，所述晶圆用于形成微机电系统。
17、在其中一个实施例中，若判定所述光刻版与晶圆的对位发生了旋转偏移，则通过使所述光刻版和晶圆发生相对旋转，使所述光刻版和晶圆套刻对准。
18、在其中一个实施例中，所述在晶圆上形成对位标记的步骤包括形成多个对位标记，且晶圆上不同的对位标记位于不同的曝光区域。
技术特征：1.一种光刻版，包括对位标记，其特征在于，所述对位标记包括：
2.根据权利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述主对位图形为十字形，所述主对位图形包括两个相互垂直的条形，所述偏转角为旋转判别图形的中心与主对位图形的中心的连线与最近的所述条形形成的夹角。
3.根据权利要求2所述的光刻版，其特征在于，所述对位标记的旋转判别图形的数量为两个，其中一个靠近一所述条形的一端设置、另一个靠近另一端设置。
4.根据权利要求3所述的光刻版，其特征在于，两个所述条形的长度为72微米，宽度为8微米，两个所述旋转判别图形为正方形且边长为4微米。
5.根据权利要求1所述的光刻版，其特征在于，各所述旋转判别图形的偏转角的绝对值为arctan(x/d1)，其中d1为所述对位标记形成于晶圆上时与晶圆中心的距离，x为所述光刻版在曝光时单个曝光区域的x方向尺寸，所述x方向在晶圆平面上垂直于晶圆直径方向。
6.根据权利要求1所述的光刻版，其特征在于，各所述旋转判别图形的偏转角的绝对值为arctan(x/4y)，其中x为所述光刻版在曝光时单个曝光区域的x方向尺寸，y为所述光刻版在曝光时单个曝光区域的y方向尺寸，所述对位标记形成于晶圆上时位于距晶圆中心第四个曝光区域的位置。
7.根据权利要求5或6所述的光刻版，其特征在于，所述主对位图形为十字形，包括两个相互垂直的条形，所述对位标记形成于晶圆上时，晶圆上的不同对位标记的条形相互平行。
8.一种套刻对准方法，包括：
9.根据权利要求8所述的套刻对准方法，其特征在于，所述使所述光刻版和晶圆套刻对准的步骤之后，还包括通过所述光刻版对所述晶圆上的光刻胶进行曝光的步骤，且曝光采用的机台为suss机台。
10.根据权利要求8或9所述的套刻对准方法，其特征在于，所述晶圆用于形成微机电系统。
技术总结本发明涉及一种光刻版及套刻对准方法，所述光刻版包括对位标记，所述对位标记包括：主对位图形；至少两个旋转判别图形，每个旋转判别图形均靠近所述主对位图形设置且位于第一区域，所述至少两个旋转判别图形包括偏转角的绝对值相同、方向相反的两个旋转判别图形；所述偏转角为每个旋转判别图形的中心与主对位图形的中心的连线与所述主对位图形形成的夹角，所述方向相反指两个偏转角的其中一个位于主对位图形的顺时针旋转方向、另一个位于主对位图形的逆时针旋转方向；其中，所述第一区域为所述主对位图形绕主对位图形的中心旋转360度获得的区域中除所述主对位图形之外的区域。本发明可以避免套刻对准时对位到相邻的shot上，提高套刻对准的成功率。技术研发人员：任涛,樊航,马如贵,秦祥受保护的技术使用者：无锡华润上华科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/13